瑞银：中国未来十年恐难开发出可媲美阿斯麦顶尖设备的光刻技术
瑞银集团分析师预计，中国未来十年内半导体制造能力可能难以取得足够快的进展，从而开发出能够真正替代阿斯麦尖端极紫外光刻(EUV)技术的方案。“他们目前所处的阶段似乎与阿斯麦在2004年时相当。”
瑞银分析师指出，从专利申请活动来看，尤其是在光源和雷射子系统领域，中国目前的技术成熟度大致相当于阿斯麦开始大规模生产EUV设备前15年时的水平。
他们表示，“考虑到中国设备在良率和产能方面与阿斯麦可能仍存在差距，再加上监管限制，我们认为中国光刻设备不太可能在中国境外得到应用。”不过，瑞银预计，中国有望在未来两到五年内具备浸没式深紫外(DUV)光刻机的大规模量产能力。
—— 雅虎新闻、彭博社
瑞银集团分析师预计，中国未来十年内半导体制造能力可能难以取得足够快的进展，从而开发出能够真正替代阿斯麦尖端极紫外光刻(EUV)技术的方案。“他们目前所处的阶段似乎与阿斯麦在2004年时相当。”
瑞银分析师指出，从专利申请活动来看，尤其是在光源和雷射子系统领域，中国目前的技术成熟度大致相当于阿斯麦开始大规模生产EUV设备前15年时的水平。
他们表示，“考虑到中国设备在良率和产能方面与阿斯麦可能仍存在差距，再加上监管限制，我们认为中国光刻设备不太可能在中国境外得到应用。”不过，瑞银预计，中国有望在未来两到五年内具备浸没式深紫外(DUV)光刻机的大规模量产能力。
—— 雅虎新闻、彭博社
